CXMT长鑫 CXDB5CCBM-MA-A FBGA200 同步动态随机存取内存(SDRAM)

张开发
2026/4/10 23:42:55 15 分钟阅读

分享文章

CXMT长鑫 CXDB5CCBM-MA-A FBGA200 同步动态随机存取内存(SDRAM)
1数据接收器(DataRx)的掩码电压和时序参数是针对每个引脚进行设置的并涵盖了DRAMDQ至DQS电压在频率大于20 MHz时的AC噪声影响以及从DC-20MHz至固定温度下封装内最高电压为45mvpk-pk的情形。电源供应电压必须符合该元件的最小至最大直流工作条件。entia2设计规范为BERTBD。若有必要将使用双Dirac方法对BER进行表征并外推。3接收器掩码电压VdIWW总值(最大)必须围绕Vcent_DQ(pin_mid)中心。4Vcent_DQ必须位于DQ内部Vref 的调整范围内。5DQ仅需将输入脉冲幅度输入到接收器中该幅度必须在整个UI范围内任何时刻均满足或超过VIHLAC。无需高于此水平的时序要求。VIHLAC是指围绕Vcent _DQ(pin_mid)中心点分布的峰值至峰值电压要求VIHL_AC/2最小值必须同时满足位于Vcent_DQ上方和下方的条件。在DQ到DQS的偏移量在DRAM引脚至DRAM内部锁存器的一个字节范围内包括所有DRAM工艺、电压和温度变化。6DQ仅在Vcent_DQ(pin_mid)处定义的最小输入脉冲宽度。8DQ到DQ偏移量定义为从DRAM引脚到DRAM内部锁存器的字节范围内针对特定组件。9TDQS2DQ最大延迟变化随温度的变化。10 TDQS2DQ最大延迟变化量随[C】电压变化而变化该变化适用于VDDQ和VDD2。它涵盖了VDDQ和VDD2在频率大于20 MHz以及最高电压为45mVpk-pk时(DC-20 MHz至固定温度下的封装范围内)的AC噪声影响。对于测试测量假定VDDQVDD2。

更多文章